棋牌游戏平台:存储器的靠得住性测试要领

新2备用网址/2020-04-23/ 分类:科技/阅读:

专利名称:存储器的靠得住性测试要领
技能规模
本发现涉及半导体技能规模,尤其涉及一种存储器的靠得住性测试要领。
配景技能
存储器为计较机体系的影象装备,用来存放措施和数据。存储器大抵可分为两大类易失存储器和非易失存储器。易失存储器在体系封锁时当即失去存储在内的数据;它必要一连的电源供给以维持数据。非易失存储器在体系封锁或无电源供给时仍能保持数据数据。对付存储器而言,数据保持手段(Data Retention)、经久力(Endurance)、和滋扰(Disturb)等是评价存储器机能的参数。在存储器建造完成之后筹备出厂之前,凡是会通过靠得住性测试对存储器的机能举办评价。 在果真号为CN102420017A的中国专利申请中果真了一种闪存的靠得住性测试要领,包罗对闪存举办烘焙,使闪存担当高温,并将烘焙之前只读地区中只读数据经校验算法计较后的第一校验值和烘焙后只读地区中只读数据经校验算法计较后的第二校验值举办较量,假如第一校验值和第二校验值相称,鉴定闪存影象手段精采。在所述中国专利申请中,烘培的进程用于模仿闪存老化的进程。现有技能回收与所述中国专利申请相同的技能方案,凡是较量烘焙前丈量数据和烘培后的丈量数据,判定存储器的机能。以判定存储器的数据保持力为例,凡是对已经写入数据的存储器举办读出以判定存储器的数据保持力,详细地,首要读出存储器中存储的“I”数据来举办判定。譬喻,对应于存储器而言,读出数据“I”时的判定电流为10 μ A,在举办靠得住性测试时,为了担保存储器切合规格,凡是以较高判定尺度对存储器是否及格举办判定。譬喻,判定尺度为读出电流为“ 15 μ A”,对付上述存储器,在读出存储器的数据时,假如读出“I”时,读出电流大于“ 15 μ Α”,则切合规格,而假如读出“ I ”时读出的电流小于“ 15 μ Α”,则为差品。现有技能在烘培前和烘焙后对存储器数据举办读出之后,凡是回收沟通的判定尺度来判定存储器是否及格(烘培前以15μΑ为判定尺度,烘培后如故以15μΑ为判定尺度)。然而,上述靠得住性测试的要领,轻易将一些并非数据保持手段差得的产物判为数据保持手段差的产物,可能将数据保持手段差的产物误以为良品,这使上述靠得住性测试的准确度不足高。

发现内容
本发现办理的题目是提供一种存储器的靠得住性测试要领,对存储器的数据保持力的判定具有较高的准确度。为了办理上述题目,本发现提供一种存储器的靠得住性测试要领,包罗对存储器举办第一测试,判定存储器的第一测试功效是否大于或便是第一判定尺度;假如存储器的第一测试功效大于或便是所述第一判定尺度,对所述存储器配置第一标识;假如存储器的第一测试功效小于所述第一判定尺度,对所述存储器配置第二标识;对所述存储器举办老化处理赏罚;短诃过老化处理赏罚的存储器举办第二测试,判定存储器的第一测试功效是否大于或便是第二判定尺度,所述第二判定尺度低于所述第一判定尺度;假如存储器的第二测试功效大于或便是所述第二判定尺度,则所述存储器为良品;假如存储器的第二测试功效小于所述第二判定尺度,判定所述存储器的标识范例,假如所述存储器配置的是第一标识,则所述存储器为差品;假如所述存储器配置的第二标识,则所述存储器为良品。可选地,对存储器举办第一测试的步调包罗向存储器中写入“ I ”数据,对存储器中“ I”数据举办读出,得到读出电流,所述读出电流为第一测试功效。可选地,所述第一判定尺度为第一读出电流阈值,所述第二判定尺度为第二读出电流阈值,所述第一读出电流阈值大于所述第二读出电流阈值。可选地,所述第一读出电流阈值与第二读出电流阈值的比值位于I. Γ1. 2的范畴内。可选地,所述第一读出电流阈值为17 μ Α,所述第二读出电流阈值为15 μ A。·可选地,所述对所述存储器配置第一标识的步调包罗在存储器的扇区内写入标示性的数据。可选地,所述对所述存储器配置第二标识的步调包罗不在存储器中写入所述标示性的数据。可选地,所述判定所述存储器的标识范例的步调包罗从存储器的扇区内读出数据,判定是否能读到所述标示性的数据。可选地,所述存储器为非易失存储器。可选地,所述存储器为闪存。可选的,所述对所述存储器举办老化处理赏罚的步调包罗使存储器在250°C的温度前提下一连72小时。与现有技能对比,本发现具有以下利益本发目前两次测试中配置了差异的判定尺度,在第一测试中配置较高的判定尺度,在第二测试中配置较低的判定尺度,而且在第一测试之后差池任何产物举办解除,而是对第一测试的差异测试功效举办标识,在第二测试之后,团结第一测试的测试功效的标识以及第二测试的测试功效,通过判定两次测试的差距来判定存储器的数据保持力,可将数据保持力差和较低饱和电流(可是数据保持力还不错)的产物举办区分,从而进步了存储器靠得住性测试的准确度。


图I是本发现存储器的靠得住性测试要领一实验方法的流程表示图。
详细实验例方法为使本发现的上述目标、特性和利益可以或许更为明明易懂,下面团结附图对本发现的详细实验方法
做具体的声名。在以下描写中叙述了详细细节以便于充实领略本发现。可是本发现可以或许以多种差异于在此描写的其余方法来实验,本事域技强职员可以在不违反本发现内在的情形下做相同推广。因此本发现不受下面果真的详细实验方法
的限定。
发现人对现有技能的存储器的靠得住性测试要领举办了说明,发明有些具有较低饱和电流的产物,在第一测试时其读出电流时略大于读出电流阈值,而在颠末老化处理赏罚之后,所述产物举办第二测试时的读出电流略小于读出电流阈值,这些产物的数据保持力是切合计划规格的,可是通过现有技能存储器的靠得住性测试要领,因为其不满意第二测试的判定尺度而被判为差品。响应地,为了办理上述题目发现人提供了一种存储器的靠得住性测试要领,在第一测试中配置较高的判定尺度,在第二测试中配置较低的判定尺度,而且在第一测试之后差池任何产物举办解除,而是对第一测试的差异测试功效举办标识,在第二测试之后,团结第一测试的测试功效的标识以及第二测试的测试功效,通过判定两次测试的差距来判定存储器的数据保持力,可将数据保持力差和较低饱和电流(可是数据保持力还不错)的产物举办区分,从而进步了存储器靠得住性测试的准确度。参考图1,示出了本发现存储器的靠得住性测试要领一实验方法的流程表示图。本发现详细实验方法
的检测存储器影象手段的要领包罗·
步调SI,对存储器举办第一测试,判定存储器的第一测试功效是否大于或便是第一判定尺度;步调S2,假如存储器的第一测试功效大于或便是所述第一判定尺度,对所述存储器配置第一标识;步调S3,假如存储器的第一测试功效小于所述第一判定尺度,对所述存储器配置第二标识;步调S4,对所述存储器举办老化处理赏罚;步调S5,对颠末老化处理赏罚的存储器举办第二测试,判定存储器的第一测试功效是否大于或便是第二判定尺度,所述第二判定尺度低于所述第一判定尺度;步调S6,假如存储器的第二测试功效大于或便是所述第二判定尺度,则所述存储器为良品;步调S7,假如存储器的第二测试功效小于所述第二判定尺度,判定所述存储器的标识范例,假如所述存储器配置的是第一标识,则所述存储器为差品;假如所述存储器配置的第二标识,则所述存储器为良品。下面团结详细实验例详述本发现详细实验方法
的存储器的靠得住性测试要领。实行步调SI,对存储器举办第一测试,判定存储器的第一测试功效是否大于或便是第一判定尺度。此地方述存储器可所以以闪存、只读存储器(Read-Only MemOry,R0M)为例。因为本发现存储器靠得住性测试要领目标在于进步数据保持力测试的精度,而数据保持力指的是存储器存储的数据颠末一段时刻之后没有失真或丢失还可以有用读出的手段。现实应用中,以存储器中数据“I”的数据保持情形来判定存储器的数据保持力。因此,响应地,所述对存储器举办的第一测试指的是对存储器举办读出操纵,对存储器中存储的“I”数据对应的读出电流是否切合规格举办判定。详细地,必要先向存储器中写入“ I”数据,之后对存储器中“ I”数据举办读出,得到读出电流,所述读出电流即为第一测试功效。所述判定存储器的第一测试功效是否大于或便是第一判定尺度的步调中,所述第一判定尺度指的是第一读出电流阈值。本发现所述第一读出电流阈值大于现有技能存储器的靠得住性测试要领中第一测试的读出电流阈值,即本发目前第一测试中进步了判定尺度。譬喻,现有技能中读出电流阈值为15μΑ,而本发现第一测试中第一读出电流阈值为17 μ A。实行步调S2,假如存储器的第一测试功效大于或便是所述第一判定尺度,对所述存储器配置第一标识。详细地,假如存储器在第一测试中的第一读出电流大于或便是所述第一读出电流阈值,则对所述存储器举办第一标识,所述第一标识用于表白存储器在第一测试中的测试功效(大于或便是第一读出电流阈值)。譬喻,所述存储器在第一测试中的第一读出电流为18 μ Α,大于所述17 μ A的第一读出电流阈值,则在存储器中举办第一标识。本发现对第一标识的情势不做限定,本实验例以在测试存储器的扇区内写入标示性的数据为例。譬喻,向存储器的扇区内写入“55”或“ΑΑ”的信息。还可以以其他情势对存储器举办第一标识,只要可以在后续步调S7中获取所述第一标识即可。实行步调S3,假如存储器的第一测试功效小于所述第一判定尺度,对所述存储 器配置第二标识。详细地,假如存储器在第一测试中的第一读出电流小于所述第一读出电流阈值,则对所述存储器举办第二标识,所述第二标识用于表白存储器在第一测试中的测试功效(小于第一读出电流阈值)。譬喻,所述存储器在第一测试中的第一读出电流为14. 5 μ Α,小于所述17 μ A的第一读出电流阈值,则在存储器中举办第二标识。本实验例第二标识以不在存储器中写入所述标示性的数据为例。本发现对第二标识的情势不做限定,只要所述第二标识与第一标识有所差异,在后续步调S7中可以对第一标识和第二标识举办区分即可。至此完成了对存储器的第一测试进程,本发现对存储器完成第一测试之后,并不像现有技能一样对存储器举办任何的解除(判为差品),而是对存储器第一测试的差异功效举办标识,以备后续团结第二测试的功效对存储器的数据保持力举办说明。实行步调S4,对所述存储器举办老化处理赏罚。所述老化处理赏罚是为了模仿存储器举办恒久行使的进程,详细地,本实验例所述对所述存储器举办老化处理赏罚的步调包罗使存储器在250°C的温度前提下一连72小时,用如许的方法模仿存储器在25V (室温)的前提下行使10年的情形。可是本实验例对老化处理赏罚的前提不做限定。实行步调S5,对颠末老化处理赏罚的存储器举办第二测试,判定存储器的第一测试功效是否大于或便是第二判定尺度,所述第二判定尺度低于所述第一判定尺度。此处对存储器举办的第二测试指的是对老化处理赏罚后的存储器举办读出操纵,对老化处理赏罚后的存储器中存储的“ I ”数据对应的读出电流是否切合规格举办判定。因为在步调SI中已经在存储器中写入了“I”的数据,本步调中只要对老化处理赏罚后的存储器中“I”数据举办读出,得到读出电流即可,此次得到的读出电流即为第二测试功效O所述判定存储器的第二测试功效是否大于或便是第二判定尺度的步调中,所述第二判定尺度指的是第二读出电流阈值。本发现所述第二读出电流阈值与现有技能存储器的靠得住性测试要领中第二测试的读出电流阈值(现有技能中第一测试和第二测试中的读出电流阈值沟通)沟通。譬喻,现有技能中读出电流阈值为15 μ A,而本发现第二测试中第二读出电流阈值为15 μ Α。
必要声名的是,本发现对第一判定尺度、第二判定尺度与现有技能第一测试第二测试中的判定尺度之间的相关不做限定,对付本发现而言,第一判定尺度大于第二判定尺度即可,即在本实验例中,所述第一读出电流阈值大于所述第二读出电流阈值。实行步调S6,假如存储器的第二测试功效大于或便是所述第二判定尺度,则所述存储器为良品。假如存储器在第二测试中,读出电流如故大于第二读出电流阈值,声名存储器第一测试和第二测试中的对应数据“I”的读出电流均较量大,因此所述存储用具有较好的数据保持力,以数据保持力的特征举办评价所述存储器为良品。譬喻存储器在第一测试中的读出电流为18 μ A (大于17 μ Α),在第二测试中的读出电流为16 μ A (大于15 μ Α),该存储器在第一测试和第二测试中读出电流的差距仅为2 μ Α,所述存储器颠末老化处理赏罚之后数据变革不大,具有精采的数据保持力。实行步调S7,假如存储器的第二测试功效小于所述第二判定尺度,判定所述存储器的标识范例,假如所述存储器配置的是第一标识,则所述存储器为差品;假如所述存储器配置的是第二标识,则所述存储器为良品。
·
在存储器第二测试中得到的读出电流小于第二电流阈值时,判定存储器的标识范例。此地方述标识范例包罗第一标识和第二标识,判定存储器的标识范例的步调为判定所述标识为第一标识照旧第二标识的进程。详细地,假如所述存储器上配置的是第一标识,暗示该存储器在第一测试时得到的读出电流是大于第一电流阈值的,而在第二测试中该存储器的读出电流小于第二电流阈值,因为第一电流阈值大于第二电流阈值,暗示所述存储器在老化处理赏罚前和老化处理赏罚后的读出电流变革量大于第一电流阈值和第二电流阈值的差,也就是说,所述存储器中存储的“ I”数据已经产生较大的改变,以数据保持力特征来判定所述存储器不切合要求,为差品。譬喻存储器在第一测试中的读出电流为18 μ A (大于17 μ Α),在第二测试中的读出电流为
14μ A (小于15 μ Α),该存储器在第一测试和第二测试中读出电流的差距为4 μ Α,所述存储器颠末老化处理赏罚之后数据变革较大,具有较差的数据保持力。相反地,假如所述存储器上配置的是第二标识,声名该存储器在第一测试时的读出电流小于第一电流阈值,在第二测试时的读出电流小于第二电流阈值,声名所述存储器的两次测试的读出电流不大,所述存储器只是具有较低的饱和电流。因此以数据保持力特征来判定所述存储器为良品,可以在其他的靠得住性测试中对存储器的饱和电流是否切合计划规格再举办测试。譬喻存储器在第一测试中的读出电流为16μΑ(小于17μΑ),在第二测试中的读出电流为14 μ A (小于15 μ Α),该存储器在第一测试和第二测试中读出电流的差距为2 μ Α,所述存储器颠末老化处理赏罚之后数据变革不大,数据保持力切合计划规格。必要声名的是,假如第一读出电流阈值与第二读出电流阈值之间相差过大,会造成对数据保持力的要求过低,而无法判定出数据保持力较差的差品;假如第一读出电流阈值与第二读出电流阈值之间的不同过小,则仍难以判别数据保持力较差的产物和具有较低饱和电流产物。因此优选地,所述第一读出电流阈值与第二读出电流阈值的比值位于I. f I. 2的范畴内。譬喻,所述第一读出电流阈值为17 μ A,所述第二读出电流阈值为
15μ A。本实验例中,因为在步调S2中,以在存储器的扇区内写入标示性的数据作为第一标识,以不在存储器中写入所述标示性的数据作为第二标识,因此,响应地,本步调所述判定所述存储器的标识范例的步调包罗从存储器的扇区内读出数据,判定是否能读到所述标示性的数据。譬喻,从存储器响应扇区内假如读出“55”或“AA”,则暗示所述存储器配置的为第一标识,假如未从响应扇区中读出“55”或“AA”,则暗示所述存储器配置的为第二标识,从而完成了存储器中标识范例的判定。本发现对第一标识、第二标识的情势不做限定,响应地,对怎样实行判定所述存储器的标识范例的步调也不做限定,所述判定所述存储器的标识范例以能判别所述第一标识和第二标识为准。本事域技强职员可以按照上述实验例对本发现举办响应地修改、变形和替代。必要声名的是,上述实验例中,第一判定尺度和第二判定尺度以存储器的读出电流为例举办声名的,可是本发现对此不作限定,在其他实验例中所述判定尺度还可所以电压暗示存储器的读出信息,本事域技强职员可以按照上述实验例对本发现举办响应地修改、变形和替代。本发现固然已以较佳实验例果真如上,但其并不是用来限制本发现,任何本事域技强职员在不离开本发现的精力和范畴内,都可以操作上述显现的要领和技能内容对本发现技能方案做出也许的变换和修改,因此,往往未离开本发现技能方案的内容,依据本 发现的技能实质对以上实验例所作的任何简朴修改、等同变革及修饰,均属于本发现技能方案的掩护范畴。
权力要求
1.一种存储器的靠得住性测试要领,其特性在于,包罗 对存储器举办第一测试,判定存储器的第一测试功效是否大于或便是第一判定尺度; 假如存储器的第一测试功效大于或便是所述第一判定尺度,对所述存储器配置第一标识; 假如存储器的第一测试功效小于所述第一判定尺度,对所述存储器配置第二标识; 对所述存储器举办老化处理赏罚; 对颠末老化处理赏罚的存储器举办第二测试,判定存储器的第二测试功效是否大于或便是第二判定尺度,所述第二判定尺度低于所述第一判定尺度; 假如存储器的第二测试功效大于或便是所述第二判定尺度,则所述存储器为良品; 假如存储器的第二测试功效小于所述第二判定尺度,判定所述存储器的标识范例,假如所述存储器配置的是第一标识,则所述存储器为差品;假如所述存储器配置的第二标识,则所述存储器为良品。
2.如权力要求I所述的存储器的靠得住性测试要领,其特性在于,对存储器举办第一测试的步调包罗向存储器中写入“I”数据,对存储器中“I”数据举办读出,得到读出电流,所述读出电流为第一测试功效。
3.如权力要求2所述的存储器的靠得住性测试要领,其特性在于,所述第一判定尺度为第一读出电流阈值,所述第二判定尺度为第二读出电流阈值,所述第一读出电流阈值大于所述第二读出电流阈值。
4.如权力要求3所述的存储器的靠得住性测试要领,其特性在于,所述第一读出电流阈值与第二读出电流阈值的比值位于I. Π. 2的范畴内。
5.如权力要求4所述的存储器的靠得住性测试要领,其特性在于,所述第一读出电流阈值为17 μ A,所述第二读出电流阈值为15 μ Α。
6.如权力要求I所述的存储器的靠得住性测试要领,其特性在于,所述对所述存储器配置第一标识的步调包罗在存储器的扇区内写入标示性的数据。
7.如权力要求6所述的存储器的靠得住性测试要领,其特性在于,所述对所述存储器配置第二标识的步调包罗不在存储器中写入所述标示性的数据。
8.如权力要求7所述的存储器的靠得住性测试要领,其特性在于,所述判定所述存储器的标识范例的步调包罗从存储器的扇区内读出数据,判定是否能读到所述标示性的数据。
9.如权力要求I所述的存储器的靠得住性测试要领,其特性在于,所述存储器为非易失存储器。
10.如权力要求9所述的存储器的靠得住性测试要领,其特性在于,所述存储器为闪存。
11.如权力要求I所述的存储器的靠得住性测试要领,其特性在于,所述对所述存储器举办老化处理赏罚的步调包罗使存储器在250°C的温度前提下一连72小时。
全文择要
本发现提供一种存储器的靠得住性测试要领,包罗对存储器举办第一测试,判定第一测试功效是否大于或便是第一判定尺度;假如第一测试功效大于或便是第一判定尺度,对存储器配置第一标识;假如第一测试功效小于第一判定尺度,对存储器配置第二标识;对存储器举办老化处理赏罚;短诃过老化处理赏罚的存储器举办第二测试,判定第二测试功效是否大于或便是第二判定尺度,第二判定尺度低于第一判定尺度;假如第二测试功效大于或便是第二判定尺度,则存储器为良品;假如第二测试功效小于第二判定尺度,判定存储器的标识范例,假如存储器配置的是第一标识,则存储器为差品;假如存储器配置的第二标识,则存储器为良品。本发现对数据保持力的判定具有较高的准确度。
文档编号G11C29/56GK102903395SQ201210403218
果真日2013年1月30日 申请日期2012年10月19日 优先权日2012年10月19日
发现者钱亮 申请人:上海宏力半导体制造有限公司

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